Транзистор STB80PF55T4

STB80PF55T4 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 190 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 190 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1130 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор STB80PF55T4 можно заменить на:

Нет элементов для замены