Транзистор STB85NF55L
STB85NF55L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 80 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 165 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 860 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STB85NF55L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB80NF55L-08 |
SMD |
N |
300 |
55 |
16 |
2.5 |
80 |
0.008 |
75 |
145 |
800 |
175 |
D2PAK |