Транзистор STB85NS04Z
STB85NS04Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 215 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 33 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 18 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.015 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 68 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 800 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STB85NS04Z можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOT474 |
PTH |
N |
417 |
75 |
20 |
4 |
127 |
0.0113 |
49.6 |
34 |
507 |
175 |
TO-220 |
| BUK7Y12-100E |
SMD |
N |
238 |
100 |
20 |
4 |
85 |
0.012 |
68 |
18 |
349 |
175 |
LFPAK56 |
| BUK7Y7R8-80E |
SMD |
N |
238 |
80 |
20 |
4 |
100 |
0.0078 |
63.3 |
25 |
395 |
175 |
LFPAK56 |
| KUK7606-55B |
SMD |
N |
254 |
55 |
20 |
4 |
145 |
0.006 |
64 |
46 |
783 |
175 |
TO-263 |
| STP130N10F3 |
PTH |
N |
250 |
100 |
20 |
4 |
120 |
0.0096 |
57 |
38 |
373 |
175 |
TO-220 |