Транзистор STB9NK60ZDT4

STB9NK60ZDT4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.95 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 41 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 13.6 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 135 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STB9NK60ZDT4 можно заменить на:

Нет элементов для замены