Транзистор STB9NK80Z
STB9NK80Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 40 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 122 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STB9NK80Z можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB7NK80ZT4 |
SMD |
N |
125 |
800 |
30 |
4.5 |
5.2 |
1.8 |
40 |
12 |
122 |
150 |
D2PAK |