Транзистор STD10N60M2

STD10N60M2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 85 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.6 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 13.5 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 22 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STD10N60M2 можно заменить на:

Нет элементов для замены