Транзистор STD11NM65N
STD11NM65N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.455 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 29 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 50 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STD11NM65N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB24N65M2 |
SMD |
N |
150 |
650 |
25 |
4 |
16 |
0.23 |
29 |
9.5 |
47.5 |
150 |
D2PAK |
| STD16N65M2 |
SMD |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
11 |
0.36 |
19.5 |
8.2 |
32 |
150 |
DPAK |
| STI18N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
12 |
0.33 |
20 |
7.5 |
35 |
150 |
I2PAK |
| STP11NM65N |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
11 |
0.455 |
29 |
10.8 |
50 |
150 |
TO-220 |
| STP16N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
11 |
0.36 |
19.5 |
8.2 |
32 |
150 |
TO-220 |
| STP18N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
12 |
0.33 |
20 |
7.5 |
35 |
150 |
TO-220 |
| STP24N65M2 |
PTH |
N |
150 |
650 |
25 |
4 |
16 |
0.23 |
29 |
9.5 |
47.5 |
150 |
TO-220 |
| STU16N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
11 |
0.36 |
19.5 |
8.2 |
32 |
150 |
IPAK |