Справочник электронных компонентов

Транзистор STD12NM50ND

STD12NM50ND - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.38 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STD12NM50ND можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
STB12NM50-1	PTH	N	160	500	30	5	12	0.35	28	10	250	150	I2PAK
STB12NM50ND	SMD	N	100	500	25	5	11	0.38	30	-	-	150	D2PAK
STB12NM50T4	SMD	N	160	500	30	5	12	0.35	28	10	250	150	D2PAK
STB24N60DM2	SMD	N	150	600	25	5	18	0.2	29	8.7	56	150	D2PAK
STD13NM60ND	SMD	N	109	600	25	5	11	0.38	24.5	10	47	150	DPAK
STP12NM50	PTH	N	160	500	30	5	12	0.35	28	-	-	150	TO-220
STP13NM60ND	PTH	N	109	600	25	5	11	0.38	24.5	10	47	150	TO-220
STP24N60DM2	PTH	N	150	600	25	5	18	0.2	29	8.7	56	150	TO-220
STW14NM50	PTH	N	175	500	30	5	14	0.35	28	10	180	150	TO-247
STW24N60DM2	PTH	N	150	600	25	5	18	0.2	29	8.7	56	150	TO-247
TK20J60U	PTH	N	190	600	30	5	20	0.19	27	-	-	150	SC-65