Транзистор STD2NK100Z
STD2NK100Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.85 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 8.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STD2NK100Z можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STP2NK100Z |
PTH |
N |
70 |
1000 |
30 |
4.5 |
1.85 |
8.5 |
16 |
- |
- |
150 |
TO-220 |
| STU2NK100Z |
PTH |
N |
70 |
1000 |
30 |
4.5 |
1.85 |
8.5 |
16 |
- |
- |
150 |
IPAK |