Транзистор STD3NK50ZT4
STD3NK50ZT4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 45 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 11 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 42 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STD3NK50ZT4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHD3N50DA |
SMD |
N |
69 |
500 |
30 |
4.5 |
3 |
3.2 |
6 |
9 |
26 |
150 |
TO-252 |
| SIHU3N50DA |
PTH |
N |
69 |
500 |
30 |
4.5 |
3 |
3.2 |
6 |
9 |
26 |
150 |
TO-251 |
| STD3NK50Z-1 |
PTH |
N |
45 |
500 |
30 |
4.5 |
2.3 |
3.3 |
11 |
13 |
42 |
150 |
IPAK |