Справочник электронных компонентов

Транзистор STD45NF75T4

STD45NF75T4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.024 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 60 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 360 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор STD45NF75T4 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUK769R6-80E	SMD	N	182	80	20	4	75	0.0096	59.8	32.7	356	175	D2PAK
BUK7Y14-80E	SMD	N	147	80	20	4	65	0.014	44.8	13.2	240	175	LFPAK56
BUK7Y15-100E	SMD	N	195	100	20	4	68	0.015	54.5	21	283	175	LFPAK56
BUK7Y19-100E	SMD	N	169	100	20	4	56	0.019	55	17	242	175	LFPAK56
BUK7Y22-100E	SMD	N	147	100	20	4	49	0.022	47	17	225	175	LFPAK56
IRFB4510PBF	PTH	N	140	100	20	4	62	0.0135	58	32	220	175	TO-220AB
IRFS4510PBF	SMD	N	140	100	20	4	61	0.0139	58	32	220	175	TO-263
IRFSL4510PBF	PTH	N	140	100	20	4	61	0.0139	58	32	220	175	TO-262
PSMN8R7-80BS	SMD	N	170	80	20	4	90	0.0087	44	26	296	175	D2PAK
SM1A01NFS	PTH	N	136	100	25	4	53	0.022	37	13	270	175	TO-220
SM1A01NSF	PTH	N	136	100	25	4	53	0.022	37	13	270	175	TO-220