Транзистор STD50NH02LT4
STD50NH02LT4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 24 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0105 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 24 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 130 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STD50NH02LT4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD50NH02L-1 |
PTH |
N |
60 |
24 |
20 |
1.8 |
50 |
0.0105 |
24 |
130 |
400 |
175 |
IPAK |
| STD70N02L |
SMD |
N |
60 |
25 |
20 |
1.8 |
60 |
0.008 |
24 |
130 |
400 |
175 |
DPAK |
| STD70N02L-1 |
PTH |
N |
60 |
25 |
20 |
1.8 |
60 |
0.008 |
24 |
130 |
400 |
175 |
IPAK |