Транзистор STD5406N
STD5406N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 70 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 45 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 57 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 370 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STD5406N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD5406NT4G |
SMD |
N |
100 |
40 |
20 |
3.5 |
70 |
0.01 |
45 |
57 |
370 |
175 |
DPAK |