Транзистор STD5N20T4
STD5N20T4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 600 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STD5N20T4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KP8N60D |
SMD |
N |
73.5 |
600 |
30 |
4 |
8 |
0.58 |
16 |
20 |
550 |
150 |
DPAK |
| MMD60R580PRH |
SMD |
N |
70 |
600 |
30 |
4 |
8 |
0.58 |
18 |
34 |
428 |
150 |
TO-252 |
| MMIS60R580PTH |
PTH |
N |
70 |
600 |
30 |
4 |
8 |
0.58 |
18 |
34 |
428 |
150 |
TO-251 |
| MMP60R580PTH |
PTH |
N |
70 |
600 |
30 |
4 |
8 |
0.55 |
18 |
34 |
428 |
150 |
TO-220 |