Транзистор STD5NK50ZT4
STD5NK50ZT4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 75 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STD5NK50ZT4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB5NK50Z |
SMD |
N |
70 |
500 |
30 |
4.5 |
4.4 |
1.5 |
20 |
10 |
75 |
150 |
D2PAK |
| STB5NK50Z-1 |
PTH |
N |
70 |
500 |
30 |
4.5 |
4.4 |
1.5 |
20 |
10 |
75 |
150 |
I2PAK |
| STB5NK50ZT4 |
SMD |
N |
70 |
500 |
30 |
4.5 |
4.4 |
1.5 |
20 |
10 |
75 |
150 |
D2PAK |
| STD5NK50Z-1 |
PTH |
N |
70 |
500 |
30 |
4.5 |
4.4 |
1.5 |
20 |
10 |
75 |
150 |
IPAK |