Транзистор STD60N55F3
STD60N55F3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 65 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0085 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 33.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STD60N55F3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB60N55F3 |
SMD |
N |
110 |
55 |
20 |
4 |
65 |
0.0085 |
33.5 |
- |
- |
175 |
D2PAK |
| STD65N55F3 |
SMD |
N |
110 |
55 |
20 |
4 |
65 |
0.0085 |
33.5 |
- |
- |
175 |
DPAK |
| STI60N55F3 |
PTH |
N |
110 |
55 |
20 |
4 |
80 |
0.0085 |
33.5 |
50 |
500 |
175 |
I2PAK |
| STU60N55F3 |
PTH |
N |
110 |
55 |
20 |
4 |
65 |
0.0085 |
33.5 |
- |
- |
175 |
IPAK |