Транзистор STD8N10LT4
STD8N10LT4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.33 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 650 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STD8N10LT4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD8N10L-1 |
PTH |
N |
35 |
100 |
15 |
- |
8 |
0.33 |
12 |
- |
650 |
175 |
IPAK |