Справочник электронных компонентов

Транзистор STH7NA80FI

STH7NA80FI - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOWATT218

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 55 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.9 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1750 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STH7NA80FI можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP09N90CW-HF	PTH	N	208	900	30	-	7.6	1.4	50.7	16	516	150	TO-3P
MMD80R900PRH	SMD	N	75.8	800	30	4	6	0.9	17.6	22.4	508	150	TO-252
SM8A03NSW	PTH	N	138	800	30	4.5	8	0.78	27.5	28	380	150	TO-247
SM8A05NSF	PTH	N	166	800	30	4.5	10	0.58	37	38	500	150	TO-220
SM9A01NSF	PTH	N	192	900	30	4.5	12	0.48	56	29	950	150	TO-220
SSM09N90CGW	PTH	N	208	900	30	4	7.6	1.4	50.7	16	516	150	TO-247
STB11NM80T4	SMD	N	150	800	30	5	11	0.4	43.6	17	750	150	D2PAK
STI11NM80	PTH	N	150	800	30	5	11	0.4	43.6	17	750	150	I2PAK