Справочник электронных компонентов

Транзистор STH8N80FI

STH8N80FI - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор STH8N80FI можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
APT11N80BC3G PTH N 156 800 20 3.9 11 0.45 60 15 770 150 TO-247
APT11N80KC3G PTH N 156 800 20 3.9 11 0.45 60 15 770 150 TO-220
APT17N80BC3G PTH N 208 800 20 3.9 17 0.29 90 15 1045 150 TO-247
APT17N80SC3G SMD N 208 800 20 3.9 17 0.29 90 15 1045 150 D3PAK
MM9N090P PTH N 140 900 20 4.5 12 0.85 93 30 780 150 TO-3P
SM8A01NSF PTH N 208 800 30 - 13 0.38 55 45 745 150 TO-220
SM8A01NSW PTH N 208 800 30 4.5 13 0.38 55 45 745 150 TO-247
SM8A02NSF PTH N 277 800 30 4.5 17 0.31 60 44 865 150 TO-220
SM8A02NSW PTH N 277 800 30 4.5 17 0.31 60 44 865 150 TO-247
SM9A01NSF PTH N 192 900 30 4.5 12 0.48 56 29 950 150 TO-220
STB11NM80T4 SMD N 150 800 30 5 11 0.4 43.6 17 750 150 D2PAK
STI11NM80 PTH N 150 800 30 5 11 0.4 43.6 17 750 150 I2PAK
STW8N80 PTH N 180 800 20 - 8.2 1.2 125 - 2700 150 TO-247