STH9NA60FI - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: ISOWATT218
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.75 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 75 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 32 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 230 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STH9NA60FI можно заменить на:
Нет элементов для замены