Транзистор STH9NA80FI
STH9NA80FI - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: ISOWATT218
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 80 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.75 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 115 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 290 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STH9NA80FI можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STW9NA80 |
PTH |
N |
190 |
800 |
30 |
3.75 |
9.1 |
1 |
115 |
45 |
290 |
150 |
TO-247 |