Транзистор STI11NM60ND

STI11NM60ND - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.45 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 44 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STI11NM60ND можно заменить на:

Нет элементов для замены