Справочник электронных компонентов

Транзистор STI6N62K3

STI6N62K3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 620 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 34 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STI6N62K3 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
HFP10N65U	PTH	N	164	650	30	4.5	9.5	0.98	29	70	140	150	TO-220
SM6F02NSF	PTH	N	125	650	30	4.5	10	0.47	29	26	470	150	TO-220
SM6F02NSW	PTH	N	125	650	30	4.5	10	0.47	29	26	470	150	TO-247
SM6F26NSF	PTH	N	138	650	30	4.5	12	0.36	30	32	430	150	TO-220
SM8A03NSW	PTH	N	138	800	30	4.5	8	0.78	27.5	28	380	150	TO-247
SRC7N65TC	PTH	N	104.2	700	30	4.5	7	0.572	18.9	13.1	474	150	TO-220C
STB6N62K3	SMD	N	90	620	30	4.5	5.5	1.2	34	12	100	150	D2PAK
STD6N62K3	SMD	N	90	620	30	4.5	5.5	1.2	34	-	-	150	DPAK
STU6N62K3	PTH	N	90	620	30	4.5	5.5	1.2	34	-	-	150	IPAK