Транзистор STL120N2VH5

STL120N2VH5 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PowerFLAT5X6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 4 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.7 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 28 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.003 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 29 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 870 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STL120N2VH5 можно заменить на:

Нет элементов для замены