STL4N10F7 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerFLAT3.3X3.3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.07 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 7.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 112 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STL4N10F7 можно заменить на:
Нет элементов для замены