Транзистор STL8N10F7
STL8N10F7 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerFLAT3.3X3.3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 360 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STL8N10F7 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STF45N10F7 |
PTH |
N |
25 |
100 |
20 |
4.5 |
30 |
0.018 |
25 |
17 |
360 |
175 |
TO-220FP |
| STL60N10F7 |
SMD |
N |
5 |
100 |
20 |
4.5 |
12 |
0.018 |
25 |
17 |
360 |
175 |
PowerFLAT5X6 |