Транзистор STM101N
STM101N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.21 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 35 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор STM101N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIR698DP |
SMD |
N |
3.7 |
100 |
20 |
3.5 |
3 |
0.195 |
5.2 |
11 |
35 |
150 |
SO-8 |