Транзистор STN1NK80Z
STN1NK80Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 16 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STN1NK80Z можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STFW1N105K3 |
PTH |
N |
20 |
1050 |
30 |
4.5 |
1.4 |
11 |
13 |
7 |
15 |
150 |
TO-3PF |
| STQ1NK80ZR-AP |
PTH |
N |
3 |
800 |
30 |
4.5 |
0.3 |
16 |
7.7 |
30 |
26 |
150 |
TO-92 |