Транзистор STN5PF02V
STN5PF02V - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.45 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 4.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 47 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 179 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STN5PF02V можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STS5PF20V |
SMD |
P |
2.5 |
20 |
8 |
0.45 |
5 |
0.08 |
4.5 |
47 |
179 |
150 |
SO-8 |