Транзистор STN8882D
STN8882D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: в разных корпусах как для поверхностного монтажа, так и с выводами для монтажа через отверстия
- Корпус: TO-251,TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.005 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 41.3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 683.3 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STN8882D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM3016AD |
SMD |
N |
62.5 |
30 |
20 |
3 |
100 |
0.004 |
23.4 |
9.6 |
380 |
175 |
TO-252 |