Транзистор STP10NM60ND
STP10NM60ND - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STP10NM60ND можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FCD9N60NTM |
SMD |
N |
92.6 |
600 |
30 |
5 |
9 |
0.385 |
17.8 |
- |
- |
150 |
TO-252 |
| STB11N65M5 |
SMD |
N |
85 |
650 |
25 |
5 |
9 |
0.48 |
17 |
10 |
18 |
150 |
D2PAK |
| STD10NM60ND |
SMD |
N |
70 |
600 |
25 |
5 |
8 |
0.6 |
20 |
- |
- |
150 |
DPAK |
| STD11N65M5 |
SMD |
N |
85 |
650 |
25 |
5 |
9 |
0.48 |
17 |
- |
20 |
150 |
DPAK |
| STD12N65M5 |
SMD |
N |
70 |
650 |
25 |
5 |
8.5 |
0.43 |
20 |
- |
- |
150 |
DPAK |
| STI12N65M5 |
PTH |
N |
70 |
650 |
25 |
5 |
8.5 |
0.43 |
20 |
- |
- |
150 |
I2PAK |
| STL11N65M5 |
SMD |
N |
70 |
650 |
25 |
5 |
8.5 |
0.53 |
17 |
10 |
18 |
150 |
PowerFLAT5X5 |
| STL12N65M5 |
SMD |
N |
70 |
650 |
25 |
5 |
8.5 |
0.47 |
17 |
- |
- |
150 |
PowerFLAT8X8HV |
| STP11N65M5 |
PTH |
N |
85 |
650 |
25 |
5 |
9 |
0.48 |
17 |
10 |
18 |
150 |
TO-220 |
| STP12N65M5 |
PTH |
N |
70 |
650 |
25 |
5 |
8.5 |
0.43 |
20 |
- |
- |
150 |
TO-220 |
| STU11N65M5 |
PTH |
N |
85 |
650 |
25 |
5 |
9 |
0.48 |
17 |
10 |
18 |
150 |
IPAK |
| STU12N65M5 |
PTH |
N |
70 |
650 |
25 |
5 |
8.5 |
0.43 |
20 |
- |
- |
150 |
IPAK |