Транзистор STP10NM65N
STP10NM65N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.48 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STP10NM65N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD10NM65N |
SMD |
N |
90 |
650 |
25 |
4 |
9 |
0.48 |
25 |
- |
- |
150 |
DPAK |
| STD13N65M2 |
SMD |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
10 |
0.43 |
17 |
7.8 |
27.5 |
150 |
DPAK |
| STD16N65M2 |
SMD |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
11 |
0.36 |
19.5 |
8.2 |
32 |
150 |
DPAK |
| STI18N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
12 |
0.33 |
20 |
7.5 |
35 |
150 |
I2PAK |
| STP13N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
10 |
0.43 |
17 |
7.8 |
27.5 |
150 |
TO-220 |
| STP16N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
11 |
0.36 |
19.5 |
8.2 |
32 |
150 |
TO-220 |
| STP18N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
12 |
0.33 |
20 |
7.5 |
35 |
150 |
TO-220 |
| STU10NM65N |
PTH |
N |
90 |
650 |
25 |
4 |
9 |
0.48 |
25 |
8 |
53 |
150 |
IPAK |
| STU13N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
10 |
0.43 |
17 |
7.8 |
27.5 |
150 |
IPAK |
| STU16N65M2 |
PTH |
N |
110 |
650 |
25 |
4 |
11 |
0.36 |
19.5 |
8.2 |
32 |
150 |
IPAK |