Транзистор STP10P6F6
STP10P6F6 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.16 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 40 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STP10P6F6 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD10P6F6 |
SMD |
P |
35 |
60 |
20 |
4 |
10 |
0.16 |
6.4 |
5.3 |
40 |
175 |
DPAK |
| STU10P6F6 |
PTH |
P |
35 |
60 |
20 |
4 |
10 |
0.16 |
6.4 |
5.3 |
40 |
175 |
IPAK |