Справочник электронных компонентов

Транзистор STP120N4F6

STP120N4F6 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0043 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 65 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор STP120N4F6 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUK7Y3R5-40E	SMD	N	167	40	20	4	100	0.0035	49.4	24.9	514	175	LFPAK56
MM137N04K	PTH	N	150	40	20	4	137	0.004	64	37	648	175	TO-220
PSMN2R6-40YS	SMD	N	131	40	20	4	100	0.0028	63	-	-	175	LFPAK
PSMN2R8-40BS	SMD	N	211	40	20	4	100	0.0029	61	29	937	175	D2PAK
PSMN3R3-40YS	SMD	N	117	40	20	4	100	0.0033	49	-	-	175	LFPAK
STB120N4F6	SMD	N	110	40	20	4	80	0.004	65	-	-	175	D2PAK
STD120N4F6	SMD	N	110	40	20	4	80	0.004	65	-	-	175	DPAK