Транзистор STP12N50M2
STP12N50M2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 85 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.38 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 33 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STP12N50M2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD12N50M2 |
SMD |
N |
85 |
500 |
30 |
4 |
10 |
0.38 |
15 |
10.5 |
33 |
150 |
DPAK |
| STF12N50M2 |
PTH |
N |
85 |
500 |
25 |
4 |
10 |
0.38 |
15 |
10.5 |
33 |
150 |
TO-220FP |