Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор STP28NM50N полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор STP28NM50N

STP28NM50N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 90 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.158 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 50 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STP28NM50N можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
STB28N60M2	SMD	N	170	600	25	4	22	0.15	36	7.2	70	150	D2PAK
STB28NM50N	SMD	N	90	500	25	4	21	0.158	50	-	-	150	D2PAK
STB33N60M2	SMD	N	190	600	25	4	26	0.125	45.5	9.6	85	150	D2PAK
STB33N65M2	SMD	N	190	650	25	4	24	0.14	41.5	11.5	75	150	D2PAK
STI33N60M2	PTH	N	190	600	25	4	26	0.125	45.5	9.6	85	150	I2PAK
STI33N65M2	PTH	N	190	650	25	4	24	0.14	41.5	11.5	75	150	I2PAK
STL33N60M2	SMD	N	190	600	25	4	22	0.135	45.5	9.6	85	150	PowerFLAT8X8HV
STP28N60M2	PTH	N	170	600	25	4	22	0.15	36	7.2	70	150	TO-220
STP33N60M2	PTH	N	190	600	25	4	26	0.125	45.5	9.6	85	150	TO-220
STP33N65M2	PTH	N	190	650	25	4	24	0.14	41.5	11.5	75	150	TO-220
STW28N60M2	PTH	N	170	600	25	4	22	0.15	36	7.2	70	150	TO-247
STW28NM50N	PTH	N	150	500	25	4	21	0.158	50	-	-	150	TO-247
STW33N60M2	PTH	N	190	600	25	4	26	0.125	45.5	9.6	85	150	TO-247