Транзистор STP4NB80
STP4NB80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 21 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 95 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STP4NB80 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STP7N105K5 |
PTH |
N |
110 |
1050 |
30 |
5 |
4 |
2 |
17 |
7 |
40 |
150 |
TO-220 |
| STU7N105K5 |
PTH |
N |
110 |
1050 |
30 |
5 |
4 |
2 |
17 |
7 |
40 |
150 |
IPAK |
| STW7N105K5 |
PTH |
N |
110 |
1050 |
30 |
5 |
4 |
2 |
17 |
7 |
40 |
150 |
TO-247 |