Транзистор STP5N120

STP5N120 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-220

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1200 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.7 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.5 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 57 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 139 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STP5N120 можно заменить на:

Нет элементов для замены