STP6635GH - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: в разных корпусах как для поверхностного монтажа, так и с выводами для монтажа через отверстия
- Корпус: TO-251,TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 65 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 169 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STP6635GH можно заменить на:
Нет элементов для замены