Транзистор STP75N75F4
STP75N75F4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 78 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 76 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 382 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STP75N75F4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN8R7-80BS |
SMD |
N |
170 |
80 |
20 |
4 |
90 |
0.0087 |
44 |
26 |
296 |
175 |
D2PAK |
| PSMN9R5-100BS |
SMD |
N |
211 |
100 |
20 |
4 |
89 |
0.0096 |
67 |
25.2 |
302 |
175 |
D2PAK |