Справочник электронных компонентов

Транзистор STP9NK70Z

STP9NK70Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 115 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 48 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STP9NK70Z можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOT11N70	PTH	N	271	700	30	4.5	11	0.87	37.5	74	146	150	TO-220
SM8A03NSW	PTH	N	138	800	30	4.5	8	0.78	27.5	28	380	150	TO-247
SM8A05NSF	PTH	N	166	800	30	4.5	10	0.58	37	38	500	150	TO-220
STB9NK70Z-1	PTH	N	115	700	30	4.5	7.5	1.2	48	-	-	150	I2PAK
STB9NK70ZT4	SMD	N	115	700	30	4.5	7.5	1.2	48	17	143	150	D2PAK
STW9NK70Z	PTH	N	156	700	30	4.5	7.5	1.2	48	-	-	150	TO-247