Транзистор STR1P2UH7
STR1P2UH7 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 4.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 21 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 66 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STR1P2UH7 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STT3P2UH7 |
SMD |
P |
1.6 |
30 |
8 |
1 |
3 |
0.1 |
4.8 |
21 |
66 |
150 |
SOT-23 |