Транзистор STRH40N6
STRH40N6 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD0.5
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 66 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.045 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 43 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 59 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 351 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STRH40N6 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM0018AD |
SMD |
N |
90 |
100 |
20 |
4.5 |
45 |
0.022 |
27.6 |
17.2 |
268 |
150 |
TO-252 |