Транзистор STS10N3LH5
STS10N3LH5 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 22 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.021 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STS10N3LH5 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STL65N3LLH5 |
SMD |
N |
4 |
30 |
22 |
1 |
19 |
0.0058 |
- |
- |
- |
150 |
PowerFLAT5X6 |
| STL70N4LLF5 |
SMD |
N |
4 |
40 |
22 |
1 |
18 |
0.0067 |
- |
- |
- |
175 |
PowerFLAT5X6 |
| STS14N3LLH5 |
SMD |
N |
2.7 |
30 |
22 |
1 |
14 |
0.006 |
- |
- |
- |
150 |
SO-8 |