Транзистор STS10P4LLF6

STS10P4LLF6 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SO-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.7 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.017 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STS10P4LLF6 можно заменить на:

Нет элементов для замены