Транзистор STS10PF30L
STS10PF30L - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 29 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 87 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 750 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STS10PF30L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4825P |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
1 |
11.5 |
0.013 |
25 |
13 |
600 |
150 |
SOIC-8 |
| AM4825PE |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
1 |
11.5 |
0.013 |
25 |
13 |
600 |
150 |
SOIC-8 |