Транзистор STS19N3LLH6
STS19N3LLH6 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 19 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0056 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STS19N3LLH6 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7434N |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
1 |
27 |
0.0049 |
16 |
12 |
326 |
150 |
DFN5X6-8L |
| STL80N3LLH6 |
SMD |
N |
4 |
30 |
20 |
1 |
21 |
0.0052 |
17 |
- |
- |
150 |
PowerFLAT5X6 |
| STL90N3LLH6 |
SMD |
N |
4 |
30 |
20 |
1 |
24 |
0.0045 |
17 |
30 |
- |
150 |
PowerFLAT5X6 |
| STS20N3LLH6 |
SMD |
N |
2.7 |
30 |
20 |
1 |
20 |
0.004 |
17 |
- |
- |
150 |
SO-8 |