Справочник электронных компонентов

Транзистор STS2601

STS2601 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-26

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 59 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 101 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор STS2601 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM6401	SMD	P	2.1	30	12	1.3	5.1	0.054	13.6	12.3	74	150	SOT-26
MMP4353	SMD	P	2.5	30	12	3	11	0.075	13.2	2.4	86	150	SO-8
MTB40P06Q8	SMD	P	3.1	60	20	-	6.2	0.033	38.7	6.2	98.3	150	SOP-8
PJS6401	SMD	P	2	30	12	1.3	4.6	0.071	15.5	43	50	150	SOT-23-6L
PJS6407	SMD	P	2	30	20	2.1	4.9	0.064	14	35	63	150	SOT-23-6L
PJS6415	SMD	P	2	20	12	1.2	5.2	0.056	18	63	75	150	SOT-23-6L
SMC3535	SMD	P	2.5	30	12	1.2	5.8	0.052	13.5	12.8	75	150	SOT-89