Транзистор STS3116E
STS3116E - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.094 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 33 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 56 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор STS3116E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PJA3402 |
SMD |
N |
1.25 |
30 |
12 |
1.2 |
4.4 |
0.048 |
11.3 |
38 |
34 |
150 |
SOT-23 |
| PJA3404 |
SMD |
N |
1.25 |
30 |
20 |
2.1 |
5.6 |
0.03 |
7.8 |
40 |
48 |
150 |
SOT-23 |
| PJS6404 |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.1 |
6.8 |
0.032 |
7.8 |
40 |
48 |
150 |
SOT-23-6L |
| RF4E070BN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2 |
7 |
0.0286 |
8.9 |
8 |
50 |
150 |
DFN2020-8S |
| RQ3E070BN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
7 |
0.027 |
8.9 |
8 |
50 |
150 |
HSMT8 |
| RQ6E045BN |
SMD |
N |
1.25 |
30 |
20 |
2.5 |
4.5 |
0.03 |
8.4 |
11 |
55 |
150 |
TSMT6 |
| SIA814DJ |
SMD |
N |
1.6 |
30 |
12 |
1.5 |
4.3 |
0.061 |
7 |
10 |
45 |
150 |
SC-70-6Dual |
| SMC2360 |
SMD |
N |
1.56 |
60 |
20 |
2.5 |
6.1 |
0.085 |
9.3 |
9.5 |
45 |
150 |
SOT-23 |
| SQ2360EES |
SMD |
N |
3 |
60 |
20 |
2.5 |
4.4 |
0.085 |
7.4 |
11 |
55 |
175 |
TO-236 |
| SQ2362ES |
SMD |
N |
3 |
60 |
20 |
2.5 |
4.3 |
0.068 |
7.6 |
20 |
50 |
175 |
TO-236 |
| STN3400 |
SMD |
N |
1.4 |
30 |
12 |
1.2 |
5.8 |
0.027 |
8.45 |
42.1 |
54 |
150 |
SOT-23L |
| STS4300 |
SMD |
N |
1.25 |
40 |
20 |
- |
3.5 |
0.062 |
32 |
- |
55 |
- |
SOT-23 |