Транзистор STS5N15F4
STS5N15F4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.063 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 48 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STS5N15F4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDPF390N15A |
PTH |
N |
22 |
150 |
20 |
4 |
10 |
0.04 |
14.3 |
- |
- |
150 |
TO-220F |
| FDS86240 |
SMD |
N |
5 |
150 |
20 |
4 |
7.5 |
0.0198 |
28 |
- |
- |
150 |
SO-8 |
| IRF7494 |
SMD |
N |
3 |
150 |
20 |
4 |
5.2 |
0.044 |
36 |
- |
- |
150 |
SO-8 |
| IRF7494PBF |
SMD |
N |
2.5 |
150 |
20 |
4 |
5.1 |
0.044 |
35 |
10 |
222 |
150 |
SO-8 |
| SIR838DP |
SMD |
N |
5.4 |
150 |
20 |
4 |
8.3 |
0.033 |
33 |
11 |
155 |
150 |
SO-8 |